El transistor bipolar de puerta aislada HGTG20N60A4D (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Características:
- Voltaje Vceo Máximo: 600V
- Voltaje de saturación del colector: 1,8V
- Voltaje máximo puerta-emisor: 20V
- Corriente CC Máxima: 15A
- Corriente continua del colector a 20ºC: 70A
- Disipación de potencia: 290W
- Estilo de montaje: Through Hole
- Temperatura de trabajo: -55ºC/+150ºC
- Dimensiones: 22,82mm X 4,82mm X 15,87mm
