Características Transistor bipolar BJT NPN BC337:
- Estilo de montaje: Through Hole
- Paquete / Cubierta: TO-92-3
- Polaridad del transistor: NPN
- Configuración: Single
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 45 V
- Tensión VCBO colector-base: 50 V
- Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 700 mV
- Corriente CC máxima de colector: 800 mA
- Dp – Disipación de potencia : 625 mW
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 100 MHz
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
- Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
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